- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
Transition to 200m wafers marks milestone in capacity build-up to support automotive and industrial markets in the electrification of their systems and products. …
به خواندن ادامه دهید
Mute, Short-Circuit and Thermal Protection, Standby. توصیف همراه با جزئیات. Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class AB 15-Multiwatt. شماره پایه پایه. TDA7266. هزینه حمل و نقل ：. (مرجع DHL و FedEX) وزن (KG): 0.00kg-1.00kg. قیمت (دلار آمریکا): 60،00 دلار آمریکا.
به خواندن ادامه دهید
تولید قطعات ضد سایش با روش ریخته گری دقیق. بهره وری فلزات ریخته گری دقیق تقریبا سه برابر بیشتر از روش فورج (آهنگری) است. دقت بالا – ریخته گری دقیق می تواند درجه تلورانس مناسبی به اندازه CT5-CT6 ...
به خواندن ادامه دهید
ویسکرزهای SiC که تقریباً تک کریستال هستند، از روش های مختلفی تولید می شوند مثل گرمایش سبوس برنج، واکنش سیلان ها، واکنش سیلیکا و کربن و تصعید پودر SiC. در برخی از روش ها از یک جزء سوم مثل آهن ...
به خواندن ادامه دهید
سرامیک‌های پیشرفته در قطعات سرامیک صنعتی با کارایی بالا، به طور خاص در برنامه‌های هسته‌ای، هوافضا، پزشکی، دفاعی، نظامی و خودرویی مورد استفاده قرار می‌گیرند و با عایق بندی خاص، در برابر حرارت، سایش و خوردگی مقاوم ...
به خواندن ادامه دهید
با این توضیحات به طور کامل متوجه نحوه کار ورق ضد سایش و فرایند تولید صنعتی آن شدید. اما باید به یک نکته بسیار مهم اشاره کرد. فولاد تولید شده در ابتدا سختی زیادی ندارد و تقریبا معادل ۱۷۰-۲۲۰ hb است.
به خواندن ادامه دهید
SiC devices benefit industrial applications from motors and robots to various other factory automation systems, as well as in power supplies for servers and solar energy …
به خواندن ادامه دهید
Geneva, Switzerland, October 5, 2022 – STMicroelectronics (NYSE: STM), a global semiconductor leader serving customers across the spectrum of electronics …
به خواندن ادامه دهید
STMicroelectronics will build an integrated silicon carbide (SiC) substrate manufacturing facility in Italy to support the increasing demand from customers for SiC …
به خواندن ادامه دهید
ST says that its initial 200mm SiC wafers have minimal yield-impacting and crystal-dislocation defects. The low defectivity has been achieved by building on the expertise in SiC ingot growth technology developed by Norrkoping-based STMicroelectronics Silicon Carbide A.B. (formerly Norstel A.B., which ST acquired in …
به خواندن ادامه دهید
STMicroelectronics claims to have already supplied SiC components for more than three million mass-produced passenger cars worldwide. The company plans to …
به خواندن ادامه دهید
STMicroelectronics and Soitec cooperate on SiC substrate manufacturing technology. Agreement to qualify Soitec technology for future 200mm SiC substrate …
به خواندن ادامه دهید
STMicroelectronics is not only building a mega SiC substrate plant in Europe, it hopes to source 40 per cent of its SiC substrates internally by 2024. The acceleration …
به خواندن ادامه دهید
فرآیند تولید نحوه ساخت یا ایجاد یک محصول توسط یک شرکت است. این می تواند یک فعالیت پیچیده باشد که شامل طیف وسیعی از ماشین آلات، ابزارها و تجهیزات با سطوح مختلف اتوماسیون با استفاده از رایانه ها ...
به خواندن ادامه دهید
ST's initial 200mm SiC wafers are described to be very high quality, with minimal yield-impacting and crystal-dislocation defects. The low defectivity has been achieved by building on the excellent know-how and expertise in SiC ingot growth technology developed by STMicroelectronics Silicon Carbide AB (formerly Norstel AB, …
به خواندن ادامه دهید
Contribute to sbmboy/fa development by creating an account on GitHub.
به خواندن ادامه دهید
توسعه ی کامپوزیت های CVI SiC/SiC در دهه ی 1980 و در زمانی آغاز شد که شرکت های SEP، Amercorm، کامپوزیت رفرکتوری و سایر کشورها شروع به توسعه ی وسایل و فرایندهای تولید اجزای CVI برای استفاده در کاربردهای هوافضا، دفاعی و سایر کاربردها شدند.
به خواندن ادامه دهید
سیلیکون کارباید Silicon Carbide . سیلیکون کارباید با فرمول شیمیایی SIC از جمله مواد ساینده با درجه سختی 9 موس میباشد که در صنایع مختلفی از جمله تولید سنگ های سنباده ، ابزار های برش ، صفحات برش ، کاغذ های سنباده و خمیر های برش و ...
به خواندن ادامه دهید
Oct 5, 2022 Geneva, Switzerland. First-of-a-kind SiC epitaxial substrate manufacturing facility in Europe. Full vertical integration to reinforce substrate supply for SiC devices …
به خواندن ادامه دهید
シェア40％（2021、ベース）。、ケイ（SiC）パワーデバイスでなにいるのが、STMicroelectronics（STマイクロエレクトロニクス）だ。ののきっかけは、2017にをしたTeslaの（EV）「Model 3」のモーターインバーターに ...
به خواندن ادامه دهید
این فرایند موجب تولید بهینه قطعات با تلرانس بسته و حفره انقباضی کم می‌شود.این روش می‌تواند برای قطعات با اندازه و شکل مختلف استفاده شود. میکروگراف پودر آلومینای m kms-96. حالت آزاد در سمت چپ ...
به خواندن ادامه دهید
Contribute to chairsineg/ar development by creating an account on GitHub.
به خواندن ادامه دهید
AG 650V SiC MOSFETs: Gen 2 High Voltage Product Family in production •SCTx35N65xx •SCTx100N65xx AG 1200V SiC MOSFETs: Gen 2 Very High Voltage High Product Family in Production •SCTx40N120xx •SCTx70N120xx •SCTx100N120xx • Smaller form factor with high power density • Higher system efficiency at high frequency
به خواندن ادامه دهید
انواع شفت سرامیکی ضد اسید و ضد سایش تولید انواع پیستون های سرامیکی پمپ های پلانجری ... تولید صفحات و لوله های SiC تولید قطعات پیچیده آلومینایی فیلتر های سرامیکی صنایع معدنی ( فیلتر سرامیکی فیلتر ...
به خواندن ادامه دهید
Geneva, Switzerland, October 5, 2022 – STMicroelectronics (NYSE: STM), a global semiconductor leader serving customers across the spectrum of electronics applications, will build an integrated ...
به خواندن ادامه دهید
STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring the advanced efficiency and reliability of wide bandgap materials to a broader range of energy-conscious applications. Skip to Main Content (800) 346-6873 ... ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. ST's 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding …
به خواندن ادامه دهید
ST technology and solutions enable customers to increase energy efficiency everywhere & support the use of renewable energy sources. 30% global electricity demand from 2020 …
به خواندن ادامه دهید
Contribute to ziyouzhiyz/ar development by creating an account on GitHub.
به خواندن ادامه دهید
October 05, 2022 02:00 ET | Source: STMicroelectronics N.V. Follow. STMicroelectronics to build integrated Silicon Carbide substrate manufacturing facility in Italy. First-of-a-kind SiC epitaxial ...
به خواندن ادامه دهید
مقاوم در برابر سایش و خوردگی محصولات مقاوم در برابر. لوله کاربید سیلیکون، خم و زانو; آستر هیدروسیکلون کاربید سیلیکون; Apex، Spigot، Lining; صفحات، کاشی ها و بلوک های سرامیکی کاربید سیلیکون; محصولات SiCPU
به خواندن ادامه دهید